MOSFET  (25 085 produits)

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.23 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de dra...

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics. Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent ...

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.186 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de d...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1.82 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 3....

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0353 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 6 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de ...

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.00197 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id...

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.009 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 6 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de d...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0122 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id ...

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 4 A Gamme de produit - Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, ...

Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) à canal N, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.082 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 3...

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 100 mA Gamme de produit - Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu I...