MOSFET  (25 085 produits)

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.11 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 5 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de dra...

Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'effi...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.5 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drai...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.105 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 2...

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistor MOSFET à canal-N, série SSM3K, Toshiba

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics. Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent ...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.094 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 2...

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics. Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les sér...

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.045 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de d...

Canal N STripFET™, STMicroelectronics

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.11 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 27...

Canal N STripFET™, STMicroelectronics

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1.65 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de dr...

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.