MOSFET  (25 085 produits)

Canal N STripFET™, STMicroelectronics

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0039 ohm Gamme de produit U-MOSIX-H Series Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Coura...

Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'effi...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.25 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 5 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de dra...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0042 ohm Gamme de produit U-MOSX-H Series Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Couran...

Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistor MOSFET à canal-N, série TK1x, Toshiba

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.036 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 6...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.19 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 17...

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 61.8 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-247 Tension ...

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics. Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les sér...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.17 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 17...

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.004 ohm Gamme de produit U-MOSVIII-H Series Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Cour...