MOSFET  (25 090 produits)

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 4 A Tension Drain Source maximum = 950 V Série = CoolMOS™ P7 Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,002...

Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: TO247-3 Temps d'attente: 76ns Tension drain-source: 55V Courant du drain: 440A Résistance en état de conduction: 1,8mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance d...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 50 A Tension Drain Source maximum = 300 V Série = HEXFET Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Nombre d'éléments par circuit = 1

Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: PLUS247™ Temps d'attente: 100ns Tension drain-source: 55V Courant du drain: 550A Résistance en état de conduction: 1,6mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 8 A Tension Drain Source maximum = 800 V Série = CoolMOS™ P7 Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,6 Ω...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 5 A Tension Drain Source maximum = 250 V Type de boîtier = TO-252 Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Nombre d'éléments par circuit = 1

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 16 A Tension Drain Source maximum = 100 V Série = HEXFET Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Mode de canal = Enrichissement Nombr...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 50 A Tension Drain Source maximum = 60 V Série = OptiMOS™ Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,0078 Ω...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 1,9 A Tension Drain Source maximum = 80 V Série = CoolMOS™ Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 2.8 Ω M...

Fabricant: ONSEMI Montage: THT Boîtier: TO220AB Tension drain-source: 55V Courant du drain: 60A Résistance en état de conduction: 16mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipation: 145W Po...

Fabricant: IXYS Montage: SMD Boîtier: TO263 Temps d'attente: 38ns Tension drain-source: 55V Courant du drain: 110A Résistance en état de conduction: 6,6mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de ...

Fabricant: STMicroelectronics Montage: SMD Boîtier: DPAK Tension drain-source: 55V Courant du drain: 42A Résistance en état de conduction: 17mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipation...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 11 A Tension Drain Source maximum = 650 V Type de boîtier = TO-252 Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Nombre d'éléments par circuit = 1