Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-9074741 N°. du fabricant:
SCT30N120 EAN/GTIN:
5059042204681 |
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| Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) à canal N, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts. Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 45 A | Tension Drain Source maximum: | 1200 V | Type de boîtier: | HiP247 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 100 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Dissipation de puissance maximum: | 270 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -10 V, +25 V | Longueur: | 15.75mm | Température d'utilisation maximum: | +200 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Si |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 9074741, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, SCT30N120 |
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