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MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-2 110 A 100 V, 3 broches


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-8607523
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     STH150N10F7-2
EAN/GTIN:
     5059042487756
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
110 A
Tension Drain Source maximum:
100 V
Type de boîtier:
H2PAK-2
Série:
DeepGate, STripFET
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
3,9 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille:
2.5V
Dissipation de puissance maximum:
250 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-20 V, +20 V
Longueur:
10.4mm
Autres mots de recherche: 8607523, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, STH150N10F72
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à partir de 5000 Boîtes
€ 4,464*
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