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  Module IGBT  (1 858 produits)

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"Modules IGBT"

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Module driver IGBT 1EDI60I12AFXUMA1, CMOS 6 A 15V, 8 broches, PG-DSO-8-51 (1 offre) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 6 A Tension d'alimentation = 15V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = PG-DSO-8-51ns
Infineon
1EDI60I12AFXUMA1
à partir de € 0,965*
par Pièce
 
 Pièces
Module IGBT, NXH350N100H4Q2F2P1G, , 303 A, 1000 V, Q2PACK (sans plomb/sans halogène) (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 303 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1000 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 592 W Type de boîtier = Q2PACK (...
onsemi
NXH350N100H4Q2F2P1G
à partir de € 172,63*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 offre) 
Fabricant: IXYS Boîtier: SOT227B Tension inverse max.: 1,7kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 160A Courant du collecteur d'i...
IXYS
IXGN200N170
à partir de € 59,11*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT IR2214SSPBF, CMOS 3 A 20V, 24 broches, SSOP 24 fils (1 offre) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 3 A Tension d'alimentation = 20V Nombre de broches = 24 Type de boîtier = SSOP 24 filsns Nombre de drivers = 2
Infineon
IR2214SSPBF
à partir de € 4,083*
par Pièce
 
 Pièce
MULTICOMP PRO MPIM600M117TG5 MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.7KV 600A (1 offre) 
Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.7 kV Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 600 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Borne IGBT A souder Tensio...
Multicomp
MPIM600M117TG5
à partir de € 197,95*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,redresseur 3-phase (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 1 Puissance: 4kW Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur:...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 11NAB126V1 25230010
à partir de € 28,12*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT NCD57080BDR2G 6,5 A 22V, 8 broches, SOIC (1 offre) 
Courant de sortie = 6,5 A Tension d'alimentation = 22V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = SOICns
onsemi
NCD57080BDR2G
à partir de € 3,144*
par Pièce
 
 Pièces
Module IGBT, NXH400N100H4Q2F2PG, , 409 A., 1000 V, 93x47 (pression) (sans plomb/sans halogène), PIM42 (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 409 A. Tension Collecteur Emetteur maximum = 1000 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 959 W Type de boîtier = 93x47 (...
onsemi
NXH400N100H4Q2F2PG
à partir de € 240,743*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 offre) 
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Boîtier: SOT227B Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 100A Courant du...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU3
à partir de € 24,34*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT NCD57085DR2G 7 A 20V, 8 broches, SOIC (2 résultats de recherche) 
Courant de sortie = 7 A Tension d'alimentation = 20V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = SOICns
onsemi
NCD57085DR2G
à partir de € 0,914*
par Pièce
 
 Pièce
Module IGBT, NFVA22512NP2T, , DIP38 (2 résultats de recherche) 
Type de boîtier = DIP38 Type de montage = Montage à visser
onsemi
NFVA22512NP2T
à partir de € 80,15*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; redresseur 3-phase; Urmax: 1,2kV (1 offre) 
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-EASY1B-1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 6A Courant...
Infineon
FP06R12W1T4B3BOMA1
à partir de € 30,87*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 2ED020I12FAXUMA2, CMOS 2 A 20V, 36 broches, SOIC-36 (1 offre) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 2 A Tension d'alimentation = 20V Nombre de broches = 36 Type de boîtier = SOIC-36ns
Infineon
2ED020I12FAXUMA2
à partir de € 7,528*
par Pièce
 
 Pièce
Module IGBT, NXH450B100H4Q2F2PG, , 101 A, 1000 V, Q2BOOST - Boîtier 180BG (broches à pression sans plomb et sans demi) (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 101 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1000 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 79 W
onsemi
NXH450B100H4Q2F2PG
à partir de € 165,141*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B (1 offre) 
Fabricant: IXYS Boîtier: SOT227B Tension inverse max.: 1,7kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 75A Courant du collecteur d'im...
IXYS
IXBN75N170
à partir de € 78,81*
par Pièce
 
 Pièce
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