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  Module IGBT  (1 866 produits)

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"Modules IGBT"

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INFINEON FS300R12OE4BOSA1 IGBT MODULE, 1.2KV/460A/1.65KW/PRESS FIT (1 offre) 
Gamme de produit EconoPACK Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 460 A Borne IGBT Montage...
Infineon
FS300R12OE4BOSA1
à partir de € 335,64*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 75A (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: SEMITRANS2 Tension inverse max.: 0,6kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 75A Courant du c...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GAL063D
à partir de € 31,09*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1EDI10I12MFXUMA1, CMOS 6 A 15V, 8 broches, DSO-8 (2 résultats de recherche) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 6 A Tension d'alimentation = 15V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = DSO-8ns
Infineon
1EDI10I12MFXUMA1
à partir de € 0,645*
par Pièce
 
 Pièce
Module IGBT, FS950R08A6P2BBPSA1, , 950 A, 750 V, HybridPACK (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 950 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 750 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 870 W Type de boîtier = HybridPack
Infineon
FS950R08A6P2BBPSA1
à partir de € 579,365*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,redresseur 3-phase (1 offre) 
Fabricant: IXYS Boîtier: V2-Pack Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 175A Courant du collecteur d'im...
IXYS
VUB160-16NOXT
à partir de € 79,77*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1ED020I12FTXUMA1, CMOS 2 A 4.5 → 5.5V, 16 broches, DSO-16 (1 offre) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 2 A Tension d'alimentation = 4.5 → 5.5V Nombre de broches = 16 Type de boîtier = DSO-16ns
Infineon
1ED020I12FTXUMA1
à partir de € 3,282*
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 Pièce
INFINEON FS50R12KT4B15BOSA1 IGBT, MODULE, CANAL N 1.2KV (1 offre) 
Gamme de produit EconoPACK 2 Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Température de fonctionnement max.. - Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 50 A Borne IGBT Montage à l...
Infineon
FS50R12KT4B15BOSA1
à partir de € 62,19*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; THT (1 offre) 
Fabricant: POWERSEM Boîtier: ECO-PAC 2 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 94A Courant du collecteur...
Powersem
PSSI 100/12
à partir de € 35,23*
par Pièce
 
 Pièce
INFINEON FZ1200R12HE4HOSA2 IGBT MODULE, 1.2KV, 1.825KA, 7.15KW/STUD (1 offre) 
Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 1.825 kA Borne IGBT Goujon Tensi...
Infineon
FZ1200R12HE4HOSA2
à partir de € 522,40*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,redresseur 3-phase (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 2 Puissance: 7,5kW Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteu...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 23NAB126V1 25230060
à partir de € 61,92*
par Pièce
 
 Pièce
INFINEON FZ1600R17HP4B2BOSA2 IGBT MODULE, 1.7KV, 1.6KA, 10.5KW, STUD (1 offre) 
Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.7 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 1.6 kA Borne IGBT Goujon Tension...
Infineon
FZ1600R17HP4B2BOSA2
à partir de € 868,60*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,redresseur 3-phase (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 3 Puissance: 22kW Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 38NAB12T4V1 M20 025231490
à partir de € 326,55*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1EDI20I12MFXUMA1, CMOS 6 A 18V, 8 broches, PG-DSO-8-51 (3 résultats de recherche) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 6 A Tension d'alimentation = 18V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = PG-DSO-8-51ns
Infineon
1EDI20I12MFXUMA1
à partir de € 0,655*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 offre) 
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Boîtier: SOT227B Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 75A Courant du...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GT120JU3
à partir de € 38,25*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1EDI10I12MFXUMA1, CMOS 6 A 15V, 8 broches, DSO-8 (1 offre) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 6 A Tension d'alimentation = 15V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = DSO-8ns
Infineon
1EDI10I12MFXUMA1
à partir de € 0,808*
par Pièce
 
 Pièces
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