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  Module IGBT  (1 858 produits)

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"Modules IGBT"

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IGBT, FP75R12N2T7B11BPSA1, , 75 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 75 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Type de boîtier = Module Ty...
Infineon
FP75R12N2T7B11BPSA1
à partir de € 984,58*
par 10 Pièces
 
 Boîte
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; SMT (1 offre) 
Attention! Produit disponible en vente uniquement en quantité disponible en stock. En cas de commande d’une quantité supérieurs, celle-ci sera modifiée en quantité disponible. Fabricant: IXYS Boîti...
IXYS
IXA30RG1200DHGLB
à partir de € 7,01*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FP150R12N3T7BPSA1, , 150 A, 1200 V, Module, 43 broches, Triphasé (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 150 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Type de boîtier = Module T...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
à partir de € 250,811*
par Pièce
 
 Pièce
Module IGBT, FP100R12KT4BOSA1, , 100 A, 1200 V (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 100 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = +/-20V Nombre de transistors = 7
Infineon
FP100R12KT4BOSA1
à partir de € 173,59*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: SEMITRANS2 Tension inverse max.: 1,7kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 100A Courant du ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL17E4 22895100
à partir de € 49,02*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FP75R12N2T7BPSA1, , 75 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 75 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Nombre de transistors = 7 Type de boîtier = Module Type de montage =...
Infineon
FP75R12N2T7BPSA1
à partir de € 123,969*
par Pièce
 
 Pièce
INFINEON FP25R12KT4BOSA1 MODULE IGBT NPN 1.85V 25A (1 offre) 
Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 25 A Borne IGBT Montage à la pre...
Infineon
FP25R12KT4BOSA1
à partir de € 93,90*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FP35R12N2T7B11BPSA1, , 35 A, 1200 V, Module, 23 broches, Triphasé (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 35 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Type de boîtier = Module Ty...
Infineon
FP35R12N2T7B11BPSA1
à partir de € 804,23*
par 10 Pièces
 
 Boîte
Module IGBT, FP10R12W1T4BOMA1, , 20 A, 1200 V (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 20 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = +/-20V Dissipation de puissance maximum = 105 W
Infineon
FP10R12W1T4BOMA1
à partir de € 28,89*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 2 Puissance: 11kW Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB126V1 25230070
à partir de € 143,60*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FS150R12N2T7BPSA1, , 150 A, 1200 V, Module, 32 broches, Module de 6 transistors (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 150 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Nombre de transistors = 6 Type de boîtier = Module Type de montage ...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
à partir de € 118,094*
par Pièce
 
 Pièce
Module IGBT, FP30R06W1E3BOMA1, , 37 A, 600 V (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 37 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 600 V Tension Grille Emetteur maximum = +/-20V Dissipation de puissance maximum = 115 W
Infineon
FP30R06W1E3BOMA1
à partir de € 28,27*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 1 Puissance: 5,5kW Tension inverse max.: 1,6kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteu...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12NAB12T4V1 25231440
à partir de € 30,26*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FP200R12N3T7BPSA1, , 200 A, 1200 V, Module, 46 broches, Triphasé (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 200 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Configuration = Triphasé T...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
à partir de € 247,161*
par Pièce
 
 Pièce
Module IGBT, FP20R06W1E3BOMA1, , 27 A, 600 V, Module (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 27 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 600 V Tension Grille Emetteur maximum = +/-20V Dissipation de puissance maximum = 94 W Type de boîtier = Module Ty...
Infineon
FP20R06W1E3BOMA1
à partir de € 26,32*
par Pièce
 
 Pièce
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