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Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y4-M5


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-MID100-12A3
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     MID100-12A3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Fabricant: IXYS
Boîtier: Y4-M5
Tension inverse max.: 1,2kV
Construction de semi-conducteur: diode/transistor
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 90A
Courant du collecteur d'impulsion: 150A
Utilisation: moteurs;pour pompe;ventilateurs;photovoltaïque
Puissance de dissipation: 560W
Montage électrique: vissés;FASTON connecteurs
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
La technologie: NPT
Topologie: boost chopper
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, transistors de puissance
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à partir de 3 Pièces
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à partir de 5 Pièces
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à partir de 6 Pièces
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à partir de 10 Pièces
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€ 61,36
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