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Diodes de redressement, IXYS

MOSFET IXYS IXTH360N055T2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 20000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonct...

Configuration diode Une Courant de surtension vers l'avant 40 A Gamme de produit HiPerFRED Température de fonctionnement max.. 175 °C Tension inverse crête répétitive 1.2 kV Courant direct moyen 8 ...

Diodes de redressement, IXYS

Gamme de produit - MSL - Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-247AD Tension de saturation Emetteur Collecteur 2.1 V Cou...

Diodes de redressement, IXYS

IGBT Discretes, IXYS série XPT. La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes ...

Diodes de redressement, IXYS

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.145 ohm Gamme de produit HiPerFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal C...

Diodes de redressement, IXYS

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.2 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain ...

Diodes de redressement, IXYS

Courant de drain Id 28 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-247 Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 695 W Qualification - Tension de seuil Vgs ...

Diodes de redressement, IXYS

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.024 ohm Gamme de produit PolarHT MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Ca...