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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolaire; -100V; -57A; 190W; 144ns


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolaire; -100V; -57A; 190W; 144ns
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolaire; -100V; -57A; 190W; 144ns
N° du produit:
     8DJEB-IXTR90P10P
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXTR90P10P
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 100v
Fabricant: IXYS
Montage: THT
Boîtier: ISOPLUS247™
Temps d'attente: 144ns
Tension drain-source: -100V
Courant du drain: -57A
Résistance en état de conduction: 27mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 190W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 0,12µC
La technologie: PolarP™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Autres mots de recherche: transistors de puissance
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