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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 65A; 1,04kW; PLUS247™


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 65A; 1,04kW; PLUS247™
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 65A; 1,04kW; PLUS247™
N° du produit:
     8DJEB-IXBX75N170A
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXBX75N170A
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: IXYS
Montage: THT
Boîtier: PLUS247™
Tensions collecteur-émetteur: 1,7kV
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 65A
Courant du collecteur d'impulsion: 300A
Temps de connection: 65ns
Temps d'extinction: 595ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 1,04kW
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: de haute tension
Charge d'entrée: 358nC
La technologie: BiMOSFET™
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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