Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 8DJEB-IXA70I1200NA N°. du fabricant: IXA70I1200NA EAN/GTIN: Pas d'information |
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| Fabricant: IXYS Boîtier: SOT227B Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 65A Courant du collecteur d'impulsion: 150A Puissance de dissipation: 350W Prix unitaire: Non Montage électrique: vissés Montage mécanique: vissés Type de module: IGBT Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: de haute tension #Actions #promotionelles: aac_202202 La technologie: XPT™ |
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| Autres mots de recherche: Modules IGBT, Module IGBT, Transistor de puissance, Transistors de puissance, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms |
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