IXYS IXTH6N100D2 MOSFET 1 Canal N 300 W TO-247AD

MOSFET

IXYS IXTH6N100D2
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD
Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
C(ISS) : 2650 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction FET : Mode de déplétion · I(d) : 6 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 300 W · Q(G) : 95 C · Q(G) Tension de référence : 5 V · R(DS)(on) : 2.2 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 3 A · R(DS)(on) Tension de référence : 0 V · Sigle du fabricant (composants) : IXY · Température de fonctionnement (max.) (num) : +150 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 1000 V · Type (type fabricant) : IXTH6N100D2 · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-247AD · Type de montage : trou traversant · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 1000 V