IXYS SEMICONDUCTOR IXFH22N65X2 MOSFET CANAL N, 650V 22A TO-247

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.145 ohm Gamme de produit HiPerFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 22 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-247 Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 390 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 5 V SVHC Lead (17-Jan-2023)