IGBT, IXYB82N120C3H1, , 164 A, 1200 V, PLUS264, 3 broches, Simple

IGBT Discretes, IXYS série XPT. La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires. Forte densité de puissance et faible Vce(sat) RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale Capacité de court-circuit pendant 10 μs Coefficient de température positive en tension à l'état passant Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires