Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
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| N° du produit: 1295E-9200877 N°. du fabricant: IXFK26N120P EAN/GTIN: 5059041036856 |
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![](/p.gif) | Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™. Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS Plus d'informations: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 26 A | Tension Drain Source maximum: | 1200 V | Type de boîtier: | TO-264 | Série: | HiperFET, Polar | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 460 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 6.5V | Dissipation de puissance maximum: | 960 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -30 V, +30 V | Longueur: | 19.96mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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![](/p.gif) | Autres mots de recherche: 9200877, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFK26N120P |
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