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MOSFET IXYS canal N, SOT-227 76 A 650 V, 4 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-9171454
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXTN102N65X2
EAN/GTIN:
     5059041350983
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série X2. La série X2 de transistor MOSFET de puissance d'IXYS offre une résistance et une charge de grille extrêmement réduites par rapport aux générations précédentes de MOSFET de puissance, entraînant une réduction des pertes et une plus grande efficacité opérationnelle. Ces dispositifs robustes intègrent une diode intrinsèque et sont adaptés à la fois aux applications de commutation difficile et de mode de résonance. Les transistors MOSFET de classe X2 sont disponibles dans de nombreux boîtiers standards, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 120 A à 650 V. Les applications typiques incluent les convertisseurs c.c.-c.c., les drivers de moteurs c.a. et c.c., les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c., les inverseurs solaires et les contrôleurs de température et d'éclairage. Très faibles RDS(on) et QG (charge de grille) Diode de redressement intrinsèque Grille à faible résistance intrinsèque Boîtier à faible inductance Boîtier standard
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
76 A
Tension Drain Source maximum:
650 V
Type de boîtier:
SOT-227
Série:
X2-Class
Type de montage:
Montage à visser
Nombre de broches:
4
Résistance Drain Source maximum:
30 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
5V
Tension de seuil minimale de la grille:
3V
Dissipation de puissance maximum:
595 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-30 V, +30 V
Longueur:
38.23mm
Autres mots de recherche: 9171454, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXTN102N65X2
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