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INFINEON S80KS5123GABHM020 DRAM, AEC-Q100, 512MBIT, -40 A 125°C


(Transmis par la recherche « s80ks5123gabhm020 »)
Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3935573
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     S80KS5123GABHM020
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Circuits
DRAM
intégrés
Mémoires
Tension d'alimentation nominale 1.8 V Type DRAM HyperRAM Gamme de produit - MSL MSL 3 - 168 heures Nombre de broches 24 Broche(s) IC Boîtier/Paquet FBGA Densité de mémoire 512 Mbit Température de fonctionnement max.. 125 °C Montage CI Montage en surface Configuration mémoire 64M x 8 bits Température d'utilisation min -40 °C SVHC No SVHC (27-Jun-2018) Fréquence, horloge max.. 200 MHz
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à partir de 2 Pièces
€ 36,18*
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par Pièce
à partir de 5 Pièces
€ 30,69*
€ 36,83
par Pièce
à partir de 10 Pièces
€ 24,83*
€ 29,80
par Pièce
à partir de 20 Pièces
€ 24,40*
€ 29,28
par Pièce
à partir de 25 Pièces
€ 21,87*
€ 26,24
par Pièce
à partir de 50 Pièces
€ 20,19*
€ 24,23
par Pièce
à partir de 3000 Pièces
€ 17,13*
€ 20,56
par Pièce
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