Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2224666 N°. du fabricant:
IPD50N06S4L08ATMA2 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 50 A
Tension Drain Source maximum = 60 V
Série = OptiMOS™
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 0,0078 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2.2V
Nombre d'éléments par circuit = 1 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 50 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | TO-252 | Série: | OptiMOS™ | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 0,0078 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.2V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Silicium |
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| Autres mots de recherche: 2224666, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IPD50N06S4L08ATMA2 |
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