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  Modules IGBT  (1 872 produits)

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"Modules IGBT"

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INFINEON FZ600R12KE3HOSA1 MODULE TRANSISTOR IGBT 1,2KV 900A (2 résultats de recherche) 
Gamme de produit Standard 62mm C Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Température de fonctionnement max.. 125 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 900 A Borne IGBT G...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
à partir de € 148,18*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,redresseur 3-phase (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 3 Puissance: 22kW Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 38NAB12T4V1 M20 025231490
à partir de € 326,05*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1EDI10I12MFXUMA1, CMOS 6 A 15V, 8 broches, DSO-8 (2 résultats de recherche) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 6 A Tension d'alimentation = 15V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = DSO-8ns
Infineon
1EDI10I12MFXUMA1
à partir de € 0,655*
par Pièce
 
 Pièce
Module IGBT, FZ600R17KE4HOSA1, , 840 A, 1700 V (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 840 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1700 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 3,35 kW
Infineon
FZ600R17KE4HOSA1
à partir de € 168,33*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,redresseur 3-phase (1 offre) 
Fabricant: IXYS Boîtier: E2-Pack Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 25A Courant du collecteur d'imp...
IXYS
MUBW15-12A7
à partir de € 70,50*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT NCD57080BDR2G 6,5 A 22V, 8 broches, SOIC (2 résultats de recherche) 
Courant de sortie = 6,5 A Tension d'alimentation = 22V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = SOICns
onsemi
NCD57080BDR2G
à partir de € 0,897*
par Pièce
 
 Pièce
LITTELFUSE IXGN200N170 MODULE IGBT, 1.7KV, 280A, 1,25KW (1 offre) 
Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.7 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOT-227B Courant Collecteur Continu 280 A Borne IGBT Goujon Tensio...
Littelfuse
IXGN200N170
à partir de € 45,43*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; vissés (1 offre) 
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-62MM-1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 400A Courant...
Infineon
DF400R12KE3HOSA1
à partir de € 125,83*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1EDI60I12AFXUMA1, CMOS 6 A 15V, 8 broches, PG-DSO-8-51 (1 offre) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 6 A Tension d'alimentation = 15V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = PG-DSO-8-51ns
Infineon
1EDI60I12AFXUMA1
à partir de € 1,034*
par Pièce
 
 Pièces
Module IGBT, IFF600B12ME4PB11BPSA1, , 600 A, 1200 V, ECONOD, Double (3 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 600 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = 20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Type de boîtier = ECONOD Ty...
Infineon
IFF600B12ME4PB11BPSA1
à partir de € 209,068*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 offre) 
Fabricant: IXYS Boîtier: SOT227B Tension inverse max.: 1,7kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 160A Courant du collecteur d'i...
IXYS
IXGN200N170
à partir de € 59,27*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT NCD57080BDR2G 6,5 A 22V, 8 broches, SOIC (1 offre) 
Courant de sortie = 6,5 A Tension d'alimentation = 22V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = SOICns
onsemi
NCD57080BDR2G
à partir de € 1,548*
par Pièce
 
 Pièces
Module IGBT, NXH200B100H4F2SG, , PIM56 (2 résultats de recherche) 
Type de boîtier = PIM56
onsemi
NXH200B100H4F2SG
à partir de € 110,586*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,redresseur 3-phase (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 1 Puissance: 4kW Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur:...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 11NAB126V1 25230010
à partir de € 28,03*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1EDI20I12MFXUMA1, CMOS 6 A 18V, 8 broches, PG-DSO-8-51 (3 résultats de recherche) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 6 A Tension d'alimentation = 18V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = PG-DSO-8-51ns
Infineon
1EDI20I12MFXUMA1
à partir de € 0,655*
par Pièce
 
 Pièce
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