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  Modules IGBT  (1 866 produits)

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"Modules IGBT"

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IGBT, F3L600R10W4S7FC22BPSA1, , 310 A, 950 V, Module EasyPACK (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 310 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 950 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Type de boîtier = Module Ea...
Infineon
SP005434947
à partir de € 203,607*
par Pièce
 
 Pièce
Module IGBT, F475R06W1E3BOMA1, , 100 A, 600 V (3 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 100 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 600 V Tension Grille Emetteur maximum = +/-20V Dissipation de puissance maximum = 275 W Configuration = Emitter-C...
Infineon
F475R06W1E3BOMA1
à partir de € 26,88*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FP75R12N2T7B11BPSA1, , 75 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 75 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Nombre de transistors = 7 Type de boîtier = Module Type de montage =...
Infineon
FP75R12N2T7B11BPSA1
à partir de € 990,85*
par 10 Pièces
 
 Boîte
Module IGBT, FP100R12KT4BOSA1, , 100 A, 1200 V (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 100 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = +/-20V Nombre de transistors = 7
Infineon
FP100R12KT4BOSA1
à partir de € 173,03*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 2 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 83A Courant du...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 28ANB16V2 25230480
à partir de € 114,99*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FP35R12N2T7B11BPSA1, , 35 A, 1200 V, Module, 23 broches, Triphasé (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 35 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Type de boîtier = Module Ty...
Infineon
FP35R12N2T7B11BPSA1
à partir de € 759,79*
par 10 Pièces
 
 Boîte
INFINEON FD400R12KE3HOSA1 MODULE IGBT, 1.2KV, 580A, CHOPPER SIMPLE (2 résultats de recherche) 
Gamme de produit C Series Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 580 A Température de fonctionnement max.. 125 °C Borne IGBT Goujon T...
Infineon
FD400R12KE3HOSA1
à partir de € 151,02*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,redresseur 3-phase (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 1 Puissance: 5,5kW Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteu...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12NAB126V20 25231200
à partir de € 80,34*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FP150R12N3T7BPSA1, , 150 A, 1200 V, Module, 43 broches, Triphasé (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 150 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Type de boîtier = Module T...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
à partir de € 159,75*
par Pièce
 
 Pièce
Module IGBT, FP10R12W1T4BOMA1, , 20 A, 1200 V (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 20 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = +/-20V Nombre de transistors = 7
Infineon
FP10R12W1T4BOMA1
à partir de € 28,88*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: SEMITRANS2 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 123A Courant du ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL12T4 22892600
à partir de € 48,76*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FP100R12N2T7BPSA1, , 100 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 100 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Configuration = Triphasé T...
Infineon
FP100R12N2T7BPSA1
à partir de € 116,521*
par Pièce
 
 Pièce
INFINEON FF200R17KE3HOSA1 MODULE IGBT CANAL N 1.7KV 310A (1 offre) 
Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 310 A Gamme de produit 62mm C Tension Collecteur Emetteur Max 1.7 kV Température de fonctionnement max.. 125 °C Borne IGBT Languette ...
Infineon
FF200R17KE3HOSA1
à partir de € 153,55*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; D56 (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: SEMITRANS3 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 20A Courant du c...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL125D 22890740
à partir de € 154,72*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FS150R12N2T7BPSA1, , 150 A, 1200 V, Module, 32 broches, Module de 6 transistors (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 150 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Configuration = Série Type...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
à partir de € 118,038*
par Pièce
 
 Pièce
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