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Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 60 A Tension Drain Source maximum = 60 V Série = TrenchFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 4 mΩ Mo...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 100 A Tension Drain Source maximum = 30 V Type de boîtier = PowerPAK SO-8DC Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source ...

Transistor MOSFET canal N, de 300 à 400 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor

Module de base PLC de 6,2 mm pour fonctions de sortie avec raccordement Push-in, sans relais ni relais à semi-conducteurs, pour montage sur profilé NS 35/7,5, avec raccordement pour conducteur de r...

PLC-INTERFACE, comprenant un module de base PLC-BSC.../21 avec raccordement vissé et relais à semi-conducteurs miniature enfichable, pour montage sur profilé NS 35/7,5, 1 contact NO, entrée : 60 V ...

Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

Type d'amplificateur = Basse consommation Type de montage = CMS Type de boîtier = TSOP Type d'alimentation = Simple Nombre de canaux par circuit = 1 Nombre de broches = 5 Tension d'alimentation asy...

Type d'amplificateur = Zéro dérive Type de montage = CMS Type de boîtier = SOT-23 Type d'alimentation = Simple Nombre de canaux par circuit = 1 Nombre de broches = 5 Tension d'alimentation asymétri...

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

2N6661 est un transistor (normalement fermé) à mode denrichissement qui utilise une structure verticale DMOS et un procédé de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un ...

Transistor MOSFET canal N, de 300 à 400 V, Vishay Semiconductor