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Transistor MOSFET canal N, TrenchFET jusqu'à Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET dalimentation TrenchFET® Catégorie de matériau : APPLICATIONS Commutateur de charge pour les applications portables Commutateur de rétroéclairage à LED Convertisseur c.c./c.c. Convertisseur ...

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 150 A Tension Drain Source maximum = 80 V Type de boîtier = TO-220AB Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source ...

Transistor MOSFET à canal N avec diode rapide, série EF, Vishay Semiconductor. Temps de récupération inverse, charge de recouvrement inverse, et courant de récupération inverse réduits Facteur de m...

Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor. Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximal...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 17,4 A Tension Drain Source maximum = 800 V Type de boîtier = TO-247AD Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Sourc...

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor. Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximal...

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV Réglé pour le plus faible facteur de mérite RDS - Qoss

Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor