Modules IGBT | MERCATEO (Page 5/77)

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Infineon DDB6U75N16W1R (3 résultats de recherche)

Infineon DDB6U75N16W1R

Infineon

DDB6U75N16W1RBOMA1

à partir de € 27,38*
par Pièce

Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; vissés (1 offre)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-62MM-1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 400A Courant...

Infineon

DF400R12KE3HOSA1

à partir de € 126,05*
par Pièce

Module: IGBT; diode/transistor; onduleur 3-niveaux 1-phase; 940W (1 offre)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-ECONO4-1 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 300A Couran...

Infineon

F3L300R07PE4

à partir de € 207,48*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT x2; Ic: 150A (1 offre)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-ECONO3-4 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 150A ...

Infineon

F4150R12KS4BOSA1

à partir de € 212,58*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT x2; Ic: 75A (3 résultats de recherche)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-EASY1B-1 Tension inverse max.: 0,6kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 75A C...

Infineon

F475R06W1E3BOMA1

à partir de € 23,26*
par Pièce

Module: IGBT; diode/transistor; redresseur 1-phase à diodes (2 résultats de recherche)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-EASY1B-1 Tension inverse max.: 0,6kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 30A Couran...

Infineon

FB30R06W1E3BOMA1

à partir de € 26,13*
par Pièce

Module: IGBT; diode/transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3,3kV (1 offre)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-IHVB190 Tension inverse max.: 3,3kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 1kA Courant...

Infineon

FD1000R33HE3KBPSA1

à partir de € 2 119,68*
par Pièce

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; vissés (1 offre)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-62MM-1 Tension inverse max.: 0,6kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 300A Courant...

Infineon

FD300R06KE3HOSA1

à partir de € 69,39*
par Pièce

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (2 résultats de recherche)

Infineon

FD300R12KE3HOSA1

à partir de € 124,36*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (2 résultats de recherche)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-34MM Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 100A Cour...

Infineon

FF100R12RT4HOSA1

à partir de € 62,91*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (2 résultats de recherche)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-62MM-1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 200A Co...

Infineon

FF200R12KE3HOSA1

à partir de € 117,201*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre)

Infineon

FF200R12KE4PHOSA1

à partir de € 92,96*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor,émetteur commun; IGBT x2 (1 offre)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-62MM-1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor;émetteur commun Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du col...

Infineon

FF200R12KT3EHOSA1

à partir de € 95,79*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (3 résultats de recherche)

Infineon

FF200R12KT4HOSA1

à partir de € 70,417*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,7kV (3 résultats de recherche)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-62MM-1 Tension inverse max.: 1,7kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 200A Co...

Infineon

FF200R17KE4HOSA1

à partir de € 85,42*
par Pièce

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