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Module: IGBT; transistor/transistor,émetteur commun; IGBT x2


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Module: IGBT; transistor/transistor,émetteur commun; IGBT x2
Module: IGBT; transistor/transistor,émetteur commun; IGBT x2
N° du produit:
     8DJEB-FF200R12KT3E
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     FF200R12KT3EHOSA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Boîtier: AG-62MM-1
Tension inverse max.: 1,2kV
Construction de semi-conducteur: transistor/transistor;émetteur commun
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 200A
Courant du collecteur d'impulsion: 400A
Puissance de dissipation: 1,05kW
Prix unitaire: Non
Montage électrique: vissés;FASTON connecteurs
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
#Actions #promotionelles: aac_202202
Topologie: IGBT x2
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, transistor de puissance
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