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MOSFET onsemi canal N, TO-220AB 12 A 100 V, 3 broches

Quantité:

Boîte

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-3683197

Fabricant:
onsemi

N°. du fabricant:
RFP12N10L

EAN/GTIN:
5059042777710

Mots de recherche:

Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	12 A
Tension Drain Source maximum:	100 V
Type de boîtier:	TO-220AB
Type de montage:	Traversant
Nombre de broches:	3
Résistance Drain Source maximum:	200 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:	1V
Dissipation de puissance maximum:	60 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-10 V, +10 V
Longueur:	10.67mm
Température d'utilisation maximum:	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit:	1

... > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

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Prix dégressifs

Quantité	HT	TTC	Unité

1 Boîte	€ 51,06*	€ 61,272	par Boîte
à partir de 2 Boîtes	€ 48,58*	€ 58,296	par Boîte
à partir de 5 Boîtes	€ 46,66*	€ 55,992	par Boîte
à partir de 10 Boîtes	€ 43,59*	€ 52,308	par Boîte
à partir de 20 Boîtes	€ 39,92*	€ 47,904	par Boîte
à partir de 50 Boîtes	€ 38,93*	€ 46,716	par Boîte
à partir de 3000 Boîtes	€ 35,91*	€ 43,092	par Boîte