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Mémoire flash, 128Mbit, 16M x 8 bits, CFI, SPI, WSON, 8 broches


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1818392
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     S25FL128SAGNFV000
EAN/GTIN:
     5059045468622
Mots de recherche:
Mémoire FLASH
Mémoires FLASH
mémoire flash
Cette famille de dispositifs se connecte à un système hôte via un SPI. Lentrée et la sortie série SPI simple bit traditionnelles (E/S ou SIO simples) sont Pris en charge, ainsi que les commandes série en option deux bits (double E/S ou DIO) et quatre bits (quadruple E/S ou qio). Cette interface à plusieurs largeurs Est appelé SPI multi-E/S ou MIO. En outre, la famille FL-S ajoute la prise en charge des commandes de lecture DDR pour SIO, DIO et qio qui transfèrent Adresse et lecture des données sur les deux bords de lhorloge. Larchitecture Eclipse est dotée dun tampon de programmation de page qui permet davoir jusquà 128 mots (256 octets) ou 256 mots (512 octets) Programmé en une seule opération, ce qui permet une programmation et un effacement plus faster et efficaces que le programme SPI ou leffacement de génération précédente Algorithmes. Lexécution de code directement à partir de la mémoire Flash est souvent appelée Execute-In-Place ou XIP. En utilisant des dispositifs FL-S à des fréquences dhorloge plus élevées Pris en charge, avec les commandes qio ou DDR-qio, la vitesse de transfert de lecture dinstruction peut correspondre ou dépasser linterface parallèle traditionnelle, Mémoires Flash NOR asynchrones tout en réduisant considérablement le nombre de signaux. Les produits S25FL128S et S25FL256S offrent des densités élevées couplées à la flexibilité et aux performances rapides requises par une grande variété Dapplications intégrées. Ils sont parfaits pour lobservation de code, le protocole XIP et le stockage de données.
Plus d'informations:
Taille mémoire:
128Mbit
Type d'interface:
CFI, SPI
Type de boîtier:
WSON
Nombre de broches:
8
Configuration:
16M x 8 bits
Type de montage:
CMS
Type de cellule:
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum:
1,65 V (E/S) V, 2,7 V (noyau)
Tension d'alimentation fonctionnement maximum:
3,6 V (noyau), 3,6 V (E/S)
Organisation des blocs:
Symétrique
Longueur:
6mm
Hauteur:
0.75mm
Largeur:
8mm
Dimensions:
8 x 6 x 0.75mm
Standard automobile:
AEC-Q100
Autres mots de recherche: 1818392, Semi-conducteurs, Mémoires, Mémoires Flash, Infineon, S25FL128SAGNFV000
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