Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1811593 N°. du fabricant:
S25FL128LAGNFI010 EAN/GTIN:
5059045716167 |
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| La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 2 Mbits est logique Organisé en 256 K x 8 Lecture/écriture haute endurance 10 billions (1014) Conservation des données 121 ans NODELAY ® écrit Processus ferroélectrique Advanced haute Interface de périphérique série (SPI) très rapide Fréquence jusquà 33 MHz Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et lEEPROM Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1) Schéma de protection en écriture sophistiqué Protection matérielle à laide de la broche Write Protect (WP) Protection logicielle à laide de linstruction Write Disable Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice ID du dispositif ID du fabricant et ID du produit Faible consommation électrique Courant actif de 3 mA à 33 MHz Courant de veille de 400 A. Courant de mode veille 12⁄A Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V. Température étendue : -40 à +105 °C. Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches Plus d'informations: | | Taille mémoire: | 128Mbit | Type d'interface: | Quadruple SPI | Type de boîtier: | WSON | Nombre de broches: | 8 | Configuration: | 16M x 8 bits | Type de montage: | CMS | Type de cellule: | NOR | Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: | 2,7 V | Tension d'alimentation fonctionnement maximum: | 3,6 V | Organisation des blocs: | Symétrique | Longueur: | 5.28mm | Hauteur: | 1.9mm | Largeur: | 5.28mm | Dimensions: | 5.28 x 5.28 x 1.9mm | Standard automobile: | AEC-Q100 |
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| Autres mots de recherche: mémoire eeprom, 1811593, Semi-conducteurs, Mémoires, Mémoires Flash, Infineon, S25FL128LAGNFI010 |
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