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MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 1 A 100 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1530676
Fabricant:
     Nexperia
N°. du fabricant:
     PMV280ENEAR
EAN/GTIN:
     5059043362311
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Relais de haute performance
Relais haute puissance
Transistors MOSFET canal N 75 V-200 V. Vous êtes maintenant dans lun des plus grands portefeuilles de MOS standard au monde. Etes-vous à la recherche de transistors MOSFET haute fiabilité dans la plage de 75 V à 200 V pour simplifier vos conceptions ? Nos dispositifs sont parfaits pour les applications à espace et puissance limités, offrant dexcellentes performances de commutation et une zone de fonctionnement sûre (SOA) de pointe. Par exemple, les transistors MOSFET de puissance de notre gamme LFPAK offrent un RDSon ultra-faible, une commutation haute vitesse et des tensions nominales jusquà 200 V.Transistor MOSFET à tranchée canal N 100 V, transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal N, intégré dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT23 (TO-236AB) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.Niveau logique compatible Commutation très rapide Technologie MOSFET à tranchée Protection contre les décharges électrostatiques (PSDE) > HBM 2 kV Certifié AEC-Q101 Driver de relais Driver de ligne haut débit Commutateur en charge Low-side Circuits de commutation
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
1 A
Tension Drain Source maximum:
100 V
Type de boîtier:
SOT-23
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
892 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
2.7V
Tension de seuil minimale de la grille:
1.3V
Dissipation de puissance maximum:
5 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
20 V
Longueur:
3mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Autres mots de recherche: Relais haute performance, Relais à haute puissance, Relais à haute performance, Transistor de puissance, Transistors de puissance, MOSFET, Relais MOSFET, Relais asymétrique, Relais asymétriques, Relais de tension monophasé, Relais de tension monophasés, Relais de surveillance réseau, Relais surveillance réseau, Relais de tension, Relais surveillance tension, Relais de surveillance de sous-tension, Relais de contrôle de sous-tension, Relais de surveillance de sous tension, Relais de contrôle de sous tension, Relais de sous-tension, Relais de sous tension, Relais de surveillance de sur-tension, Relais de surveillance de sur tension, Relais de contrôle de sur-tension, Relais de contrôle de sur tension, Relais de sur-tension, Relais de surveillance sur-tension, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, mosfet 100v, transistor à effet de champ, 1530676, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Nexperia, PMV280ENEAR
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Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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