Boîtier à broches | MERCATEO (Page 2/2)

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Module IGBT, NXH450B100H4Q2F2SG, , 101 A, 1000 V, Q2BOOST - boîtier 180BR (broches à souder sans plomb et sans halogène) (1 offre)

Courant continu de Collecteur maximum = 101 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1000 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 79 W

onsemi

NXH450B100H4Q2F2SG

à partir de € 162,83*
par Pièce

Module IGBT, NXH100B120H3Q0SG, , 61 A, 1200 V, Broches à souder 180 AJ (sans plomb et sans demi) de boîtier (1 offre)

Courant continu de Collecteur maximum = 61 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 186 W

onsemi

NXH100B120H3Q0SG

à partir de € 1 449,336*
par 24 Pièces

Module IGBT, NXH100B120H3Q0SG, , 61 A, 1200 V, Broches à souder 180 AJ (sans plomb et sans demi) de boîtier (1 offre)

Courant continu de Collecteur maximum = 61 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 186 W

onsemi

NXH100B120H3Q0SG

à partir de € 124,036*
par Pièce

Module IGBT, NXH450B100H4Q2F2SG, , 101 A, 1000 V, Q2BOOST - boîtier 180BR (broches à souder sans plomb et sans halogène) (1 offre)

Courant continu de Collecteur maximum = 101 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1000 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 79 W

onsemi

NXH450B100H4Q2F2SG

à partir de € 5 905,98*
par 36 Pièces

MOSFET Infineon canal N, Grand boîtier DirectFET2 67 A 150 V, 15 broches (1 offre)

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 67 A Tension Drain Source maximum = 150 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 15 Nombre d'éléments par circuit = 1

Infineon

IRF7779L2TRPBF

à partir de € 3,699*
par Pièce

Module IGBT, NXH40B120MNQ1SNG, , Q1 BOOST 3 canaux - broches à souder 180 BQ de boîtier (sans plomb) (2 résultats de recherche)

Dissipation de puissance maximum = 156 W

onsemi

NXH40B120MNQ1SNG

à partir de € 126,46*
par Pièce

Module IGBT, NXH40B120MNQ1SNG, , Q1 BOOST 3 canaux - broches à souder 180 BQ de boîtier (sans plomb) (1 offre)

Dissipation de puissance maximum = 156 W

onsemi

NXH40B120MNQ1SNG

à partir de € 139,21*
par Pièce

Infineon IRF7779L2 transistors 150 V (3 résultats de recherche)

Infineon

IRF7779L2TRPBF

à partir de € 12,40*
par 5 Pièces

Module IGBT, NXH450B100H4Q2F2PG, , 101 A, 1000 V, Q2BOOST - Boîtier 180BG (broches à pression sans plomb et sans demi) (2 résultats de recherche)

Courant continu de Collecteur maximum = 101 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1000 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 79 W

onsemi

NXH450B100H4Q2F2PG

à partir de € 164,65*
par Pièce

Module IGBT, NXH450B100H4Q2F2PG, , 101 A, 1000 V, Q2BOOST - Boîtier 180BG (broches à pression sans plomb et sans demi) (1 offre)

Courant continu de Collecteur maximum = 101 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1000 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Nombre de transistors = 2

onsemi

NXH450B100H4Q2F2PG

à partir de € 180,265*
par Pièce

Module IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, , Q0BOOST - boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi) (1 offre)

Dissipation de puissance maximum = 69 W

onsemi

NXH80B120MNQ0SNG

à partir de € 1 711,332*
par 24 Pièces

Module IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, , Q0BOOST - boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi) (1 offre)

Dissipation de puissance maximum = 69 W

onsemi

NXH80B120MNQ0SNG

à partir de € 71,242*
par Pièce

Infineon IRF6643 transistors 60 V (3 résultats de recherche)

Infineon

IRF6643TRPBF

à partir de € 4,00*
par 5 Pièces

MOSFET Infineon canal N, Boîtier moyen DirectFET 35 A 150 V, 7 broches (1 offre)

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 35 A Tension Drain Source maximum = 150 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Nombre d'éléments par circuit = 1

Infineon

IRF6643TRPBF

à partir de € 1,057*
par Pièce

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Boîtier à broches (29 produits)

"Boîtier pour connecteur à broches"