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Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; Trench


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-VS-GT300YH120N
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     VS-GT300YH120N
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
MOSFET
Transistors
Fabricant: VISHAY
Boîtier: Dual INT-A-Pak
Tension inverse max.: 1,2kV
Construction de semi-conducteur: diode/transistor
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 300A
Courant du collecteur d'impulsion: 720A
Montage électrique: vissés;FASTON connecteurs
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
La technologie: Trench
Topologie: demi moint MOSFET + diodes linéaires
Autres mots de recherche: Transistor, modules igbt
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