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Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-UM6K31NTN
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     UM6K31NTN
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: UMT6
Tension drain-source: 60V
Courant du drain: 0,25A
Résistance en état de conduction: 12Ω
Type de transistor: N-MOSFET x2
Puissance de dissipation: 0,15W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: ESD protected gate
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 1A
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à partir de 50 Pièces
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€ 0,085*
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