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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -60V; -8,2A; 20,8W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     8DJEB-SUD08P06-155L-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SUD08P06-155L-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: DPAK;TO252
Tension drain-source: -60V
Courant du drain: -8,2A
Résistance en état de conduction: 0,35Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 20,8W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 19nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -18A
Entrepôts (3)
État du stock
Quantité min.
Expédition
Prix dégressif
Prix unitaire
^
2000
Franco à domicile
à partir de € 0,326*
€ 0,386*
Entrepôt 8DJEB
1
€ 7,90*
à partir de € 0,44*
€ 1,14*
3 jours
1048
5
€ 14,99*
à partir de € 0,403*
€ 1,185*
Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Pièce
€ 1,14*
€ 1,37
par Pièce
à partir de 10 Pièces
€ 0,96*
€ 1,15
par Pièce
à partir de 50 Pièces
€ 0,72*
€ 0,86
par Pièce
à partir de 100 Pièces
€ 0,64*
€ 0,77
par Pièce
à partir de 500 Pièces
€ 0,53*
€ 0,64
par Pièce
à partir de 1000 Pièces
€ 0,52*
€ 0,62
par Pièce
à partir de 2500000 Pièces
€ 0,44*
€ 0,53
par Pièce
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
€ 7,90*
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
L'annulation, le remplacement et le retour de ce produit sont exclus.
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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