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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -20V; -7,5A; 13,6W


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     8DJEB-SQA413CEJW-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SQA413CEJW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -7,5A
Résistance en état de conduction: 58,6mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 13,6W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Prix unitaire: Non
Charge d'entrée: 16nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
Courant du drain dans l'impulsion: -30A
Entrepôts (3)
État du stock
Quantité min.
Expédition
Prix dégressif
Prix unitaire
^
3000
Franco à domicile
à partir de € 0,147*
€ 0,147*
Entrepôt 8DJEB
3000
€ 7,90*
à partir de € 0,182*
€ 0,182*
2 jours
9000
5
€ 14,99*
à partir de € 0,1558*
€ 0,2976*
Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
HT
TTC
Unité
à partir de 3000 Pièces
€ 0,182*
€ 0,2184
par Pièce
Commandes seulement avec des multiples de 3 000 Pièces
Quantité de commande minimale: 3000 Pièces ( € 546,00* hors TVA )
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
€ 7,90*
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
L'annulation, le remplacement et le retour de ce produit sont exclus.
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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