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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 40V; 100A; Idm: 350A


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     8DJEB-SIR640ADP-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIR640ADP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® SO8
Tension drain-source: 40V
Courant du drain: 100A
Résistance en état de conduction: 2,5mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 104W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 90nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 350A
Entrepôts (2)
État du stock
Expédition
Prix dégressif
Prix unitaire
^
42 jours
rupture de stock
Franco à domicile
à partir de € 2 120,25*
€ 2 307,39*
Entrepôt 8DJEB
€ 7,90*
à partir de € 2 937,09*
€ 3 095,88*
Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Boîte
€ 3 095,88*
€ 3 715,056
par Boîte
à partir de 2 Boîtes
€ 3 070,32*
€ 3 684,384
par Boîte
à partir de 5 Boîtes
€ 2 994,63*
€ 3 593,556
par Boîte
à partir de 10 Boîtes
€ 2 957,37*
€ 3 548,844
par Boîte
à partir de 500 Boîtes
€ 2 937,09*
€ 3 524,508
par Boîte
1 Boîte contient 3 000 Pièces (à partir de € 0,97903* par Pièce)
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
€ 7,90*
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
L'annulation, le remplacement et le retour de ce produit sont exclus.
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
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Produit
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