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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 40V; 100A; Idm: 350A

Quantité:

Boîte

Informations sur les produits

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N° du produit:
8DJEB-SIR640ADP-T1-GE3

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SIR640ADP-T1-GE3

EAN/GTIN:
Pas d'information

Mots de recherche:

MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET

Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® SO8
Tension drain-source: 40V
Courant du drain: 100A
Résistance en état de conduction: 2,5mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 104W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Prix unitaire: Non
Charge d'entrée: 90nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 350A

... > Transistors unipolaires > Transistors avec canal de type N > Transistors avec canal N SMD

Autres mots de recherche: Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms

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à partir de € 2 916,72*

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Prix: Entrepôt 8DJEB

Quantité	HT	TTC	Unité

1 Boîte	€ 3 023,46*	€ 3 628,152	par Boîte
à partir de 2 Boîtes	€ 3 003,81*	€ 3 604,572	par Boîte
à partir de 5 Boîtes	€ 2 945,52*	€ 3 534,624	par Boîte
à partir de 10 Boîtes	€ 2 916,72*	€ 3 500,064	par Boîte
1 Boîte contient 3 000 Pièces (à partir de € 0,97224* par Pièce)

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