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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 80V; 299A; Idm: 350A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     8DJEB-SIJH800E-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIJH800E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® 8x8L
Tension drain-source: 80V
Courant du drain: 299A
Résistance en état de conduction: 1,8mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 333W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Prix unitaire: Non
Charge d'entrée: 0,21µC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 350A
Entrepôts (3)
État du stock
Quantité min.
Expédition
Prix dégressif
Prix unitaire
^
3000
Franco à domicile
à partir de € 1,692*
€ 2,042*
Entrepôt 8DJEB
2000
€ 7,90*
à partir de € 2,91*
€ 3,50*
2 jours
2949
1
€ 14,99*
à partir de € 2,09*
€ 6,24*
Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
HT
TTC
Unité
à partir de 2000 Pièces
€ 3,50*
€ 4,20
par Pièce
à partir de 10000 Pièces
€ 2,91*
€ 3,49
par Pièce
Commandes seulement avec des multiples de 2 000 Pièces
Quantité de commande minimale: 2000 Pièces ( € 7 000,00* hors TVA )
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
€ 7,90*
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
L'annulation, le remplacement et le retour de ce produit sont exclus.
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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