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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 40V; 100A; Idm: 400A

Quantité:

Boîte

Informations sur les produits

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N° du produit:
8DJEB-SIDR638DP-T1-GE3

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SIDR638DP-T1-GE3

EAN/GTIN:
Pas d'information

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS

Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: 40V
Courant du drain: 100A
Résistance en état de conduction: 1,16mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 125W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Prix unitaire: Non
Charge d'entrée: 204nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Courant du drain dans l'impulsion: 400A

... > Transistors unipolaires > Transistors avec canal de type N > Transistors avec canal N SMD

Autres mots de recherche: Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms

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Prix: Entrepôt 8DJEB

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à partir de 600 Boîtes	€ 9,39*	€ 11,268	par Boîte
à partir de 3000 Boîtes	€ 7,85*	€ 9,42	par Boîte
1 Boîte contient 5 Pièces (à partir de € 1,57* par Pièce)
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Quantité de commande minimale: 600 Boîtes ( € 5 634,00* hors TVA )

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