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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -150V; -1,6A; 15,6W


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIA485DJ-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIA485DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 150v
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: -150V
Courant du drain: -1,6A
Résistance en état de conduction: 2,7Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 15,6W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 6,3nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -2A
Autres mots de recherche: transistors de puissance
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à partir de 2 Boîtes
€ 811,59*
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par Boîte
à partir de 5 Boîtes
€ 797,34*
€ 956,808
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à partir de 10 Boîtes
€ 782,28*
€ 938,736
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à partir de 500 Boîtes
€ 757,11*
€ 908,532
par Boîte
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