Catégories
France
Français
Mon Mercateo
Se connecter / S'inscrire		Panier
 		 
 >  >  >  >  >  > Produit

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -12V; -12A; Idm: -50A


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIA477EDJ-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIA477EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 12v
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: -12V
Courant du drain: -12A
Résistance en état de conduction: 32mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 19W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 83nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±8V
Courant du drain dans l'impulsion: -50A
Autres mots de recherche: transistors de puissance
Aperçu des conditions1
Délai de livraison
État du stock
Prix HT
à partir de € 700,80*
  
Le prix est valable à partir de 500 Boîtes
1 Boîte contient 3 000 Pièces (à partir de € 0,2336* par Pièce)
Sélectionner soi-même les conditions
Conseiller le produitAjouter à ma liste d'achats
Prix dégressifs
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Boîte
€ 768,84*
€ 922,608
par Boîte
à partir de 2 Boîtes
€ 761,97*
€ 914,364
par Boîte
à partir de 5 Boîtes
€ 737,37*
€ 884,844
par Boîte
à partir de 10 Boîtes
€ 722,31*
€ 866,772
par Boîte
à partir de 500 Boîtes
€ 700,80*
€ 840,96
par Boîte
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
Notre offre s'adresse uniquement aux entreprises, institutions publiques et indépendants.