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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -20V; -12A; Idm: -50A

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N° du produit:
8DJEB-SIA445EDJ-T1-GE3

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SIA445EDJ-T1-GE3

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Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -12A
Résistance en état de conduction: 30mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 19W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Prix unitaire: Non
Charge d'entrée: 72nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
Courant du drain dans l'impulsion: -50A

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