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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -20V; -12A; Idm: -50A


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
Product Image
Product Image
N° du produit:
     8DJEB-SIA433EDJ-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIA433EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -12A
Résistance en état de conduction: 65mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 19W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 75nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
Courant du drain dans l'impulsion: -50A
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, transistor igbt
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Entrepôt 1295
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2 jours
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Prix: Entrepôt 8DJEB
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1 Boîte
€ 1 203,63*
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par Boîte
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€ 1 126,05*
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Expédition: Entrepôt 8DJEB
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