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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -150V; -2,8A; 19,8W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SI7317DN-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI7317DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 150v
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® 1212-8
Tension drain-source: -150V
Courant du drain: -2,8A
Résistance en état de conduction: 1,3Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 19,8W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 9,8nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: -2A
Autres mots de recherche: transistors de puissance
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