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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -12V; -5,3A; 1,25W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SI2333DS-T1-E3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI2333DS-T1-E3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 12v
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: SOT23
Tension drain-source: -12V
Courant du drain: -5,3A
Résistance en état de conduction: 59mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 1,25W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 18nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±8V
Courant du drain dans l'impulsion: -20A
Autres mots de recherche: transistors de puissance
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