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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 40A; Idm: 80A; 262W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SCT2080KEGC11
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     SCT2080KEGC11
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Boîtier: TO247
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 40A
Résistance en état de conduction: 0,117Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 262W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Prix unitaire: Non
Charge d'entrée: 106nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -6...22V
Courant du drain dans l'impulsion: 80A
Autres mots de recherche: Transistor, transistor de puissance
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