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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-RRS100P03HZGTB
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     RRS100P03HZGTB
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: SOP8
Tension drain-source: -30V
Courant du drain: -10A
Résistance en état de conduction: 12,6mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 2W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: ESD protected gate
Charge d'entrée: 39nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -40A
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