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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 39A; Idm: 72A; 20W; HSMT8


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-RQ3E180GNTB
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     RQ3E180GNTB
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: HSMT8
Tension drain-source: 30V
Courant du drain: 39A
Résistance en état de conduction: 6,1mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 20W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 22,4nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 72A
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