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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -5,5A; Idm: -18A; 1W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-RF6C055BCTCR
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     RF6C055BCTCR
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: SOT363T
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -5,5A
Résistance en état de conduction: 25,8mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 1W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 15,2nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±8V
Courant du drain dans l'impulsion: -18A
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