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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-RF4E080GNTR
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     RF4E080GNTR
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: DFN2020-8S
Tension drain-source: 30V
Courant du drain: 8A
Résistance en état de conduction: 17,6mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 2W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 5,8nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 32A
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€ 0,5148
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à partir de 500 Pièces
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à partir de 1000 Pièces
€ 0,278*
€ 0,3336
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